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Hellma 氟化钙主力Lithotec® 光刻级 CaF₂单晶是全球 DUV 深紫外光刻原料，193nm/248nm 光刻机标配光学基材，覆盖芯片光刻、晶圆检测、刻蚀监控、半导体激光四大核心工序，支撑 28nm~7nm 先进制程量产Hellma Group。
Hellma氟化钙晶体毛坯
一、核心产品先天性能
光谱透过：130nm 真空紫外～9μm 红外全波段透光，193nm（ArF）10mm 厚度透过率＞99.3%/cm，深紫外几乎无吸收损耗；
光学精度：nd=1.43384、阿贝数 95.23（超低色散），应力双折射＜5nm/cm，波前畸变小，消除光刻色差、保障纳米级成像；
耐激光特性：193/248nm 准分子激光可承受 **＞10⁹次脉冲长期辐照 ** 无老化损伤，高激光损伤阈值适配光刻机连续高功率工况；
尺寸与纯度：单晶毛坯最大直径440mm、杂质（金属 / 氧）≤1ppm，适配大口径投影物镜毛坯需求。
二、半导体光刻（最核心应用，DUV 光刻机刚需）
1. 248nm KrF 光刻（成熟制程：130nm~28nm）
Hellma CaF₂用作投影物镜镜片、照明系统匀光镜、光束棱镜、激光腔窗口，构成光刻机主光路，是佳能、尼康 KrF 机型原厂配套晶体：
照明端：匀光棒、复眼透镜基材，均匀化准分子激光光束；
投影端：物镜组核心透镜（单台物镜 15~20 片 CaF₂镜片），完成掩模图形缩印至晶圆。
2. 193nm ArF 光刻（先进制程：7nm~45nm，干式 / 浸润式）
Hellma Lithotec® 是全球主流 ArF 光刻机指定原料，浸润式光刻机物镜超半数镜片采用该氟化钙：
投影物镜毛坯：大尺寸 CaF₂坯料精加工物镜，是实现纳米线宽曝光的关键；
激光源光路：ArF 准分子激光器谐振腔输出窗口、分光棱镜，隔绝真空腔体、透射高能紫外激光；
EUV 极紫外配套：EUV 设备对准监测光路、真空观测窗（EUV 主反射镜用钼硅，辅助光路用 CaF₂）。
3. 157nm VUV 光刻（早期 F₂光刻研发）
真空紫外全波段仅 CaF₂可稳定透光，Hellma 高纯氟化钙为 157nm 机型可用光学晶体。
三、晶圆制程检测设备光学元件
1. 晶圆缺陷检测机（明场 / 暗场检测）
DUV 显微成像物镜镜片、光源窗口：深紫外激光扫描晶圆，捕捉纳米级短路、针孔缺陷；
薄膜厚度测量仪：紫外 - 红外多波段分光光路棱镜、分光片，精准测氧化层、光刻胶膜厚。
2. 半导体在线红外 FTIR 监测
CaF₂红外窗口 / 分束镜：刻蚀、薄膜沉积腔体原位红外监测，实时监控气体组分、薄膜生长速率（1~8μm 红外高透）。
四、半导体刻蚀、薄膜沉积设备真空光学窗口
干法刻蚀机（ICP/RIE）：腔体 DUV 观测窗、激光终点探测窗口，耐等离子体腐蚀、高低温交变，透过终点检测紫外激光；
PVD/CVD 镀膜机：真空腔体光学取样窗口，在线监控镀膜厚度与均匀度；
优势：耐 HF、卤族等离子腐蚀、低热膨胀系数，真空高低温环境光学性能无漂移Hellma Group。
五、半导体工业紫外激光配套（晶圆切割 / 微调 / 修版）
193/266/355nm 紫外固体激光器：晶圆划片、掩模版激光修版、芯片微打孔设备的输出窗口、聚焦透镜、谐振腔镜基底；
激光退火设备：深紫外光束整形镜片，用于晶圆离子注入后退火制程光路。
六、半导体封装与光电芯片基材应用
红外光电探测器、紫外 LED 衬底：CaF₂单晶衬底，低介电常数、宽光谱透光，用于深紫外光电二极管芯片；
先进封装 AOI 检测：紫外成像镜头、分光元件，检测 BGA、倒装芯片焊盘缺陷。
七、Hellma 产品分级与半导体选型
Lithotec® 光刻特级：193/248nm 光刻机物镜专用，超高均匀度、超低双折射；
UV 光学级：检测设备、刻蚀窗口、工业紫外激光；
IR 红外级：制程 FTIR 在线监测、红外半导体检测设备
